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J-GLOBAL ID：200903033133276832

位相シフトマスクの製造方法

Inventor：
石渡 直行

About 石渡 直行

, 
菊地 健雄

About 菊地 健雄


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042666
Publication number (International publication number)：1993241320
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 透過型位相シフトマスクに関し,マスク上に通常の遮光膜パターンも形成できることを目的とする。【構成】 透明基板1上にシフタ層2と遮光膜3と第1のレジスト膜4を順に被着し,シフタパターンおよび所望の遮光膜パターンを転写した該第1のレジスト膜からなるレジストパターンを形成し,これをマスクにして該遮光膜をエッチングし,次いで,シフタ層をエッチングし,次いで,第1のレジスト膜を除去し,次いで,基板上全面に第2のレジスト膜5を被着し,シフタパターン形成領域上の第2のレジスト膜を除去し,第2のレジスト膜からなるレジストパターンをマスクにしたエッチングにより遮光膜を除去してシフタを形成し,次いで,第2のレジスト膜を除去するように構成する。
Claim (excerpt)：
透明基板(1) 上にシフタ層(2) と遮光膜(3)と第1のレジスト膜(4)を順に被着し,該第1のレジスト膜(4)をパターニングして,シフタパターンおよび所望の遮光膜パターンを転写した該第1のレジスト膜(4)からなるレジストパターンを形成し,該第1のレジスト膜(4)からなるレジストパターンをマスクにして該遮光膜(3)をエッチングする工程と,次いで,該第1のレジスト膜(4)からなるレジストパターンをマスクにして,シフタ層(2) をエッチングし,該第1のレジスト膜(4)を除去する工程と,次いで,該透明基板上全面に第2のレジスト膜(5) を被着し,シフタパターン形成領域上の該第2のレジスト膜(5) を除去する工程と,次いで,該第2のレジスト膜(5) からなるレジストパターンをマスクにしたエッチングにより遮光膜を除去してシフタを形成し,該第2のレジスト膜(5) を除去する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-078747
  • 特開平4-050942
  • 特開昭63-038490
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