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J-GLOBAL ID：200903033142366127
冷却素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003174330
Publication number (International publication number)：2005011982
Application date： Jun. 19, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：
【課題】強磁場を必要とせず、電圧制御による強磁性-常磁性転移を誘起させて、これを用いた冷却素子を得る。【解決手段】少なくとも1つのキャリア誘起磁性効果を示す作業物質層13と、少なくとも1つの絶縁層14を介して作業物質層13と対向して電極層15が配置された構造とする。電極層15と作業物質層13の間に電圧を印加することにより、作業物質層13は少なくとも強磁性-常磁性転移を生じ、作業物質層13において発熱・吸熱作用を制御する。これにより作業物質層13で吸収した熱を絶縁層14を介して電極層15側へ伝達することにより、対象物を冷却することが可能となる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも1つのキャリア誘起磁性効果を示す作業物質層と、少なくとも1つの絶縁層を介して作業物質層と対向して電極層が配置されており、前記電極層と作業物質層の間に電圧を印加することにより、前記作業物質層は少なくとも強磁性-常磁性転移を生じ、前記作業物質層において発熱・吸熱作用を制御することを特徴とする冷却素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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