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J-GLOBAL ID：200903033143403336

半導体レーザの製造方法および集積光回路の製造方法

Inventor： 近藤 正彦 ,  細見 和彦 ,  深町 俊彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003084096
Publication number (International publication number)：2004296560
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】今後光通信においては波長多重伝送が主流になると予想されているが、主要部品である波長フィルタは高価で低コスト化の障害になっている。他方、2次元フォトニック結晶を用いれば導波路や波長フィルタ等を容易に作製できるが、光源となる一体形成可能なレーザの実用化は未だ遠い。【解決手段】101-n型GaAs基板、102-活性部分のn型AlGaAsクラッド層、105-GaInNAs/GaAs活性層、106-活性部分のp型AlGaAsクラッド層、107-p型GaAs電極コンタクト層、108-p側電極、109-n側電極、112-反射鏡部分のGaAsコア層、113-2次元フォトニック結晶を構成する穴(空気)、114-反射鏡部分のAl2O3クラッド層により、2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成可能な半導体レーザを構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

光を発生する活性部分と発生した光からレーザ光を得る為の1組以上の反射鏡部分を有する電流注入型半導体レーザであり、活性部分のクラッド層が半導体であり、反射鏡部分に所定の周期で配列することにより形成された屈折率周期構造を有する所謂2次元フォトニック結晶を有する半導体レーザの作製方法において、反射鏡部分と活性部分が同一基板結晶上にエピタキシャル成長され、エピタキシャル成長時のクラッド層の材料が同一のAlを含む半導体であり、反射鏡部分のクラッド層の少なくとも一部を選択酸化することにより絶縁体に変化させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (4)：

H01S5/12 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026

FI (4)：

H01S5/12 ,  H01S5/026 618 ,  G02B6/12 B ,  G02B6/12 Z

F-Term (15)：

2H047KA03 ,  2H047MA07 ,  2H047PA06 ,  2H047QA02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA63 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA24 ,  5F073DA27 ,  5F073EA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体光結晶素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-200340   Applicant：日本電信電話株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Lasers incorporating 2D photonic bandgap mirrors"