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J-GLOBAL ID：200903033146318321

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 大久保 伸洋
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000036047
Publication number (International publication number)：2001230491
Application date： Feb. 15, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子の窓構造を無秩序化によって形成する際、空孔原子を与える膜として、意図的に、よりストレスの高い膜を用いることにより、より容易に、高出力時の駆動電流,駆動電圧を低減し、且つ、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともガリウムを含む化合物半導体を用いて、基板上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を含む積層構造体からなる半導体レーザ素子を製造する際、レーザ共振器端面となる領域近傍の前記積層構造体の上方に、SixOyNz膜(x,y,zは1以上。以下、同様。)を形成した後、アニールを行って、前記SixOyNz膜下に空孔を生成すると共に、該空孔を前記活性層に達するまで拡散させて、前記レーザ共振器端面となる領域近傍の前記活性層を無秩序化してなる。

Claim (excerpt)：

少なくともガリウムを含む化合物半導体を用いて、基板上に、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を含む積層構造体からなる半導体レーザ素子を製造する際、レーザ共振器端面となる領域近傍の前記積層構造体の上方に、SixOyNz膜(x,y,zは1以上。以下、同様。)を形成した後、アニールを行って、前記SixOyNz膜下に空孔を生成すると共に、該空孔を前記活性層に達するまで拡散させて、前記レーザ共振器端面となる領域近傍の前記活性層を無秩序化してなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

F-Term (10)：

5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073BA06 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29