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J-GLOBAL ID：200903033161023079

FIB/SEM複合装置

Inventor： 大西 毅 ,  石谷 亨
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996081200
Publication number (International publication number)：1997274883
Application date： Apr. 03, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】チャージアップを防止して高精度にFIB加工した試料断面をSEM観察する。【解決手段】電子を加速及び集束して試料4上を走査し、試料4から発生する二次電子及び反射電子により観察像を形成するSEM装置2に、電極にビームを照査する手段を設け、通常のSEMモードと電極照射による二次電子発生モードが選択的に利用できるSEM装置部と、イオン11を加速および集束させて試料4上を走査し、試料4から放出される二次粒子信号により観察像を形成する走査イオン顕微鏡機能と、試料4の限定された領域に選択的に集束したイオンを照射し、試料4を加工する機能とを有したFIB装置部1と、試料4を真空中に保持する試料室部3からなり、FIB1とSEM2それぞれのビーム軸が同一試料上のほぼ同一位置で交差するように設置する。

Claim (excerpt)：

電子を加速及び集束して試料上を走査し、上記試料から発生する二次電子及び反射電子により観察像を形成するSEM装置に、電極にビームを照査する手段を設け、通常のSEMモードと電極照射による二次電子発生モードが選択的に利用できるようにしたSEM装置部と、イオンを加速および集束させて上記試料上を走査し、上記試料から放出される二次粒子信号により観察像を形成する走査イオン顕微鏡機能と、上記試料の限定された領域に選択的に集束したイオンを照射し、上記試料を加工する機能とを有したFIB装置部と、上記試料を真空中に保持する試料室部からなり、上記FIBと上記SEMそれぞれのビーム軸が同一試料上のほぼ同一位置に交差するように設置されたことを特徴とするFIB/SEM複合装置。

IPC (3)：

H01J 37/305 ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01J 37/305 A ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/302 D