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J-GLOBAL ID：200903033172057560

半導体装置の絶縁膜

Inventor： 中 野 正
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331690
Publication number (International publication number)：1994181202
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】吸水性が少なく、誘電率が小さく、かつ高い平坦化能力を有する半導体装置の絶縁膜の提供。【構成】分子内にフッ素含有アルキル基を有するアルキルポリシロキサンを含む半導体装置の絶縁膜。

Claim (excerpt)：

単位組成式(a): (R<SP>f </SP>)<SB>x </SB>(CH<SB>3 </SB>)<SB>y </SB>SiO<SB>2-(x+y)/2 </SB>)<SB>n </SB> (a)〔ただし、R<SP>f </SP>はフッ素含有アルキル基であり、nは自然数であり、xは0.1〜1.0の数であり、yは0≦y<4の数であり、かつ0<x+y<4である〕で表されるアルキルポリシロキサンを含む半導体装置の絶縁膜。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90