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J-GLOBAL ID:200903033172171606

発光素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高島 一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994080305
Publication number (International publication number):1995288340
Application date: Apr. 19, 1994
Publication date: Oct. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 電流拡散性が良好で、素子のpn接合部を効率よく発光に寄与させ得る発光素子、および該発光素子を簡便に製造できる方法の提供。【構成】 p型GaN結晶層4の面4a上の一方端縁4b近傍には、直線状のp型電極9が形成されている。また、n型GaN結晶層3の面3a上の他方端縁3e近傍には、p型電極9に略平行な直線状のn型電極11が形成されている。【効果】 LED1のp型電極9およびn型電極11に電圧が負荷されると、p型電極9からn型電極11に通電する。このとき、p型電極9およびn型電極11がともに直線状であり、相互に対向する両端縁4b,3e近傍にそれぞれ略平行に形成されているので、電流8の拡散性が向上し、発光に寄与するpn接合7の界面の大半を電流8が通過することになり、発光輝度が向上する。
Claim (excerpt):
絶縁性基板の一方面上に二種以上の半導体層が積層され、該半導体層上に形成された正負両電極のうち少なくとも一方の電極が線状であることを特徴とする発光素子。
IPC (3):
H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/84

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