Pat

J-GLOBAL ID：200903033188449035

多層レジスト膜の形成方法

Inventor： 平岡 悟
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992065251
Publication number (International publication number)：1993267159
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フォトレジスト膜、バリアコート膜およびCEL膜の3層構造のレジスト膜を形成するに当たり、バリアコート膜を均一に塗布することによってフォトレジスト剤とCEL剤との混合を防止すること。【構成】 下地材料1の上にフッ素系溶剤を含む超高解像度用のフォトレジスト膜2を塗布した後、ポリビニルアルコールより成るバリアコート膜3を塗布し、次にソフトベイク処理を施した後にCEL膜4を塗布する。

Claim (excerpt)：

少なくとも下層レジスト膜、この下層レジスト膜の上に形成したバリヤコート膜およびこのバリアコート膜の上に形成したコントラスト増強用のCEL膜を有する少なくとも3層構造のレジスト膜を形成するに当たり、前記下層レジスト膜を塗布し、続いて前記バリヤコート膜を塗布した後、ソフトベイク処理を施し、その後前記CEL膜を塗布することを特徴とする多層レジスト膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 512 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 G