Pat

J-GLOBAL ID：200903033210184423

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 小角 博義 ,  江口 州志 ,  石井 利昭 ,  永井 晃 ,  荻野 雅彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995182417
Publication number (International publication number)：1997031166
Application date： Jul. 19, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置の耐リフロー性,耐湿信頼性,高温放置信頼性の向上。【構成】エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、(化1)式【化9】(式中、mは1〜5の整数、Rはアルキル基又はアルコキシ基を示す。)で表される有機リン系化合物を硬化促進剤とし、(化2)式【化10】(式中、nは0〜5の整数を示す。)で表されるフェノール系樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物を封止材とした。【効果】半導体装置の耐はんだリフロー性,耐湿信頼性,高温放置信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、前記硬化促進剤が(化1)式【化1】(式中、mは1〜5の整数、Rはアルキル基又はアルコキシ基を示す。)で表される有機リン系化合物であり、前記硬化剤が(化2)式【化2】(式中、nは0〜5の整数を示す。)で表されるフェノール系樹脂であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (4)：

C08G 59/40 NJL ,  C08G 59/62 NJR ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08G 59/40 NJL ,  C08G 59/62 NJR ,  H01L 23/30 R