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J-GLOBAL ID：200903033213523547

スピンFET

Inventor： 井口 智明 ,  杉山 英行 ,  斉藤 好昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006127772
Publication number (International publication number)：2007299992
Application date： May. 01, 2006
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

【課題】スピンFETのスピン注入書き込み時に消費する電流を低減する。【解決手段】本発明の例に関わるスピンFETは、磁化方向が固定される第1強磁性層13と、スピン注入電流により磁化方向が変化する第2強磁性層14と、第1及び第2強磁性層13,14の間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層17を介して形成されるゲート電極18と、スピン注入電流を第2強磁性層14に供給する経路になると共に、スピン注入電流により発生する磁場Haが第2強磁性層14の磁化困難軸方向に作用するようにレイアウトされる導電線26とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定される第1強磁性層と、 スピン注入電流により磁化方向が変化する第2強磁性層と、 前記第1及び第2強磁性層の間のチャネルと、 前記チャネル上にゲート絶縁層を介して形成されるゲート電極と、 前記スピン注入電流を前記第2強磁性層に供給する経路になると共に、前記スピン注入電流により発生する磁場が前記第2強磁性層の磁化困難軸方向に作用するようにレイアウトされる導電線と を具備することを特徴とするスピンFET。

IPC (5)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (4)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 U ,  H01L29/78 301J ,  H01L27/10 447

F-Term (52)：

4M119AA03 ,  4M119BB13 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD31 ,  4M119EE13 ,  4M119KK04 ,  4M119KK05 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB30 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB46 ,  5F092BC03 ,  5F092CA23 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC16 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BB18 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BH27 ,  5F140BH33 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK09 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,223号明細書
  

Cited by examiner (7)

• スピントランジスタ、プログラマブル論理回路および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-156406   Applicant：株式会社東芝
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-277601   Applicant：ソニー株式会社
• スピントランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-281043   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-166285   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気記録素子の記録方法及び磁気記録素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-089089   Applicant：国立大学法人東北大学
• メモリ及びその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-275463   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265663   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Highly scalable MRAM using field assisted current induced switching