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J-GLOBAL ID：200903033214887518
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997324173
Publication number (International publication number)：1999163261
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、薄い板厚の基板やチップ状に切断した基板からなる半導体装置においても、該半導体装置を構成する基板の裏面側から赤外光を照射して行われる、半導体装置を構成する集積回路パターンの解読や記憶情報の改竄等の不法行為を防止できる乱反射面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板の表面上に集積回路が配設された半導体装置において、該基板の裏面に、該裏面側から入射した光の乱反射を促す、該基板の表面とは非平行な面から構成された窪み及び突起の集合体を設けたことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法は、前記窪み及び突起が、集束したエネルギービームを前記基板の裏面の多数点に照射して形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板の表面上に集積回路が配設された半導体装置において、該基板の裏面に、該裏面側から入射した光の乱反射を促す、該基板の表面とは非平行な面から構成された窪み及び突起の集合体を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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