Pat

J-GLOBAL ID：200903033216057067

ポジ型レジスト組成物

Inventor： 藤村 悟史 ,  片島 美和 ,  羽田 英夫 ,  岩井 武
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999098796
Publication number (International publication number)：2000292917
Application date： Apr. 06, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 感度が優れるとともにレジストパターンの矩形性に優れるArF用のポジ型レジスト組成物の提供。【解決手段】 (A)酸解離性基を有する基材樹脂および(B)酸発生剤を含み、(B)成分が例えば(b-1)トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートと(b-2)下記式(I)のスルホニウム塩との混合物であり、(b-2)に対して(b-1)を5〜25重量%の範囲で混合した組成物。【化1】

Claim (excerpt)：

(A)カルボキシル基の水素原子がアルカリ溶解抑制能を有する酸解離性基で置換され、露光により発生した酸の作用により該酸解離性基が解離しアルカリ水溶液への溶解度が増大する重合体および(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物において、(B)成分が(b-1)置換または未置換のベンゼン核を有するトリフェニルスルホニウム塩と(b-2)下記一般式(I)で表されるスルホニウム塩との混合物であって、(b-2)に対して(b-1)を5重量%〜25重量%の範囲で混合したことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】(式中、Arはアリール基を表し、X-は炭素数1〜15のフルオロアルキルスルホン酸イオンを表す)

IPC (3)：

G03F 7/004 503 ,  C09D145/00 ,  C09D201/00

FI (3)：

G03F 7/004 503 A ,  C09D145/00 ,  C09D201/00

F-Term (24)：

2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  4J038CG081 ,  4J038CM011 ,  4J038CM021 ,  4J038GA02 ,  4J038JA35 ,  4J038JA55 ,  4J038JB01 ,  4J038JC17 ,  4J038JC22 ,  4J038JC29 ,  4J038NA18 ,  4J038PA17 ,  4J038PB09