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J-GLOBAL ID：200903033220420877

超格子構造および超格子応用素子

Inventor： 舘野 功太 ,  竹ノ内 弘和 ,  大礒 義孝 ,  若月 温 ,  小濱 剛孝 ,  黒川 隆志
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995182335
Publication number (International publication number)：1997036345
Application date： Jul. 19, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】量子効果デバイスとして利用した時のポテンシャル障壁の高さが、従来のものと比べて格段に高い超格子構造、および屈折率が半導体と著しく異なり、かつ導電性を有する層を超格子構造で実現し、少ない層数で高い反射率を持つ多層膜反射鏡を具備する超格子応用素子を提供する。【解決手段】Alを構成元素として含む半導体を酸化または窒化、もしくは酸化と窒化を行い形成された薄膜であり、かつ光素子を駆動するのに十分なトンネル電流を流すことができる膜厚に設定された第1の薄膜と、半導体よりなる第2の薄膜とを交互に積層した超格子構造、および超格子構造よりなる第1の層と、第1の層とは異なる屈折率を有する半導体よりなる第2の層とを交互に積層した多層膜半導体を具備する超格子応用素子とする。

Claim (excerpt)：

Alを構成元素として含む半導体を酸化または窒化、もしくは酸化と窒化を行い形成された第1の薄膜と、半導体よりなる第2の薄膜とを交互に積層してなることを特徴とする超格子構造。

IPC (4)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/88 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/88 S