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J-GLOBAL ID：200903033221486499

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタ基板

Inventor： 糸賀 隆志 ,  桜井 猛久 ,  川内 治彦
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069982
Publication number (International publication number)：1997260675
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 小型で且つ高いON電流を得ることができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極2の平坦部上に収まるように形成されたi型非晶質Si膜上にチャネル保護膜6を屈曲した形状でパターニングすることにより、実質的なチャネル幅を大きくする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された半導体膜と、該半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタにおいて、チャネル保護膜が上記半導体膜上に屈曲してパターニングされていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 619 A