Pat

J-GLOBAL ID：200903033242052880

多層配線構成体の製造方法

Inventor： 丹羽 勝弘 ,  三浦 康男
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050174
Publication number (International publication number)：1995263549
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 以下の各工程を含むことを特徴とする多層配線構成体の製造方法。(A)シリコン基板上に熱酸化膜を形成する工程。(B)該熱酸化膜のパターン加工および該熱酸化膜の表面のエッチングを行う工程。(C)該熱酸化膜が形成されたシリコン基板上に金属層を形成する工程。(D)該金属層をパターン加工して該熱酸化膜を一部露出させる工程。(E)該金属層が形成されたシリコン基板上に絶縁体層を形成する工程。【効果】 本発明によると、パターン化された熱酸化膜の表面はエッチングされているので、上層の絶縁体層として剛直な構造のポリイミド膜を使用した場合にも接着性が良好で信頼性が高い多層配線構成体を得ることができる。

Claim (excerpt)：

以下の各工程を含むことを特徴とする多層配線構成体の製造方法。(A)シリコン基板上に熱酸化膜を形成する工程。(B)該熱酸化膜のパターン加工および該熱酸化膜の表面のエッチングを行う工程。(C)該熱酸化膜が形成されたシリコン基板上に金属層を形成する工程。(D)該金属層をパターン加工して該熱酸化膜を一部露出させる工程。(E)該金属層が形成されたシリコン基板上に絶縁体層を形成する工程。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H05K 3/46