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J-GLOBAL ID：200903033259063729
マイクロ波イオン源
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996297544
Publication number (International publication number)：1998125246
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 マイクロ波イオン源において要求されるプラズマ密度の範囲が広がってきている。マグネトロンの電力の制御によって広範囲にプラズマ密度を変化させることができるが、低電力において、マグネトロンの動作が不安定になる。広い範囲でプラズマを発生でき、特に低密度プラズマを安定に発生させることのできる装置を提供するのが目的である。【解決手段】 減衰率の異なるふたつの導波管を、チャンバとマグネトロンの間に設けて、導波管を切り替えて使用することによって、高密度プラズマから低密度プラズマまで広い範囲の密のプラズマを安定に発生させることができる。
Claim (excerpt)：
原料ガスを導入しこれをプラズマに励起するイオン源チャンバと、ガスを励起するためのマイクロ波を発生させるマグネトロンと、マグネトロンとチャンバの間に設けられマグネトロンのマイクロ波をイオン源チャンバに導く二つ以上の減衰率の異なる導波管と、マイクロ波を複数の導波管のいずれを通してチャンバに導くかを決めるマイクロ波の切り替え機構と、導波管とチャンバの間に設けられる誘電体窓と、チャンバに原料ガスを導く原料ガス導入機構と、イオン源チャンバ内のプラズマからイオンビームを引き出すための電極とを含み、高密度プラズマを生成する場合は、減衰率の小さい導波管にマイクロ波を通し、低密度プラズマを生成する場合は減衰率の大きい導波管にマイクロ波を通してチャンバに導くようにしたことを特徴とするマイクロ波イオン源。
IPC (2)：
FI (2)：
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