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J-GLOBAL ID：200903033264703531

置換ゲート構造を有するトランジスタの製造方法

Inventor： マーク エス.ロッダー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368146
Publication number (International publication number)：1999251595
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 極短ゲート長のトランジスタ作製方法を提供する。【解決手段】 本トランジスタは、半導体層の第1領域(16)を半導体層(12)の第2領域(18)から分離することによって作製される。第1トランジスタ用の第1の使い捨てゲート構造が、半導体層(12)の第1領域(16)を覆って形成されるよう。第1の使い捨てゲート構造(26)は置換可能材料を含むことができる。半導体層(12)の第2領域を覆って第2の相補型トランジスタの第2の使い捨てゲート構造(28)が形成される。第1の使い捨てゲート構造(26)を覆って置換層(70)が形成される。置換層(70)は置換材料を含むことができる。第1の使い捨てゲート構造(26)の置換可能材料の少なくとも一部分が置換層(70)の置換材料で以て置き換えられて、第1ゲート構造(80)が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを作製する方法であって、半導体層の第1領域を、前記半導体層の第2領域から分離する工程、前記半導体層の前記第1領域を覆って、第1トランジスタ用の、置換可能材料を含む第1の使い捨てゲート構造を形成する工程、前記半導体層の前記第2領域を覆って、第2トランジスタ用の第2の使い捨てゲート構造を形成する工程、前記第1の使い捨てゲート構造を覆って、置換材料を含む置換層を形成する工程、および前記第1の使い捨てゲート構造の前記置換可能材料の少なくとも一部分を、前記置換層の前記置換材料で以て置き換えて、第1ゲート構造を形成する工程、を含む方法。