半導体素子およびこれを用いた半導体記憶装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291638
Publication number (International publication number)：1995111295
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、少ない素子数、少ない面積で素子自体が情報記憶機能を有するメモリが構成できるとともに極低温への冷却を必要としない半導体素子および記憶装置を提供することである。【構成】電子1個のトラップへの捕獲の有無がFETの電流値として明確に区別できるまでに、ゲートチャネル間の容量を小さく設定したものである。トラップへの捕獲の有無によるしきい値の大小をセンスして、室温において情報を記憶することができる。【効果】本発明により高集積、低消費電力、不揮発の記憶装置が実現でき、システムの低消費電力化、小型化に顕著な効果がある。

Claim (excerpt)：

ソース領域と、ドレイン領域とを有し、上記ソース領域はチャネル領域を介して上記ドレイン領域と接続され、上記チャネル領域はゲート絶縁膜を介してゲート電極と接続され、上記ソース領域と上記ドレイン領域との間の上記チャネル領域の電流経路の近傍には少なくとも1個のキャリアを捕獲する準位が形成されてなり、上記ゲート電極(4)と上記チャネル領域(3)との間の実効的な容量値Cgcが不等式1/Cgc>kT/q2(ここでkはボルツマン定数、Tは動作温度、qは電子の電荷量である)を満たす程度に小さく設定されたことを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

不揮発性半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313314 Applicant：ローム株式会社

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