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J-GLOBAL ID：200903033275278425

集積回路構造体上に形成されたポリシリコン/珪化タングステン多層コンポジット及び製造方法

Inventor： イスラエル ベイングラス ,  ラマヌジャプラム エー. スリニバス
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996110978
Publication number (International publication number)：1997069496
Application date： May. 01, 1996
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ステップカバレージが改善され、タングステンリッチではないポリシリコン/珪化タングステン(WSiX )のコンポジット及びこれを製造する方法。【解決手段】 半導体基板上の集積回路構造体上にポリシリコンのドープ層と、この上にノンドープのポリシリコンのキャップ層を堆積する。そして、珪化タングステンの層がポリシリコンキャップ層の上に形成されるが、ここでは、WF6等のタングステンのガス状ソースと、珪素ソースとしてジクロロシランを用い、タングステンリッチでない珪化タングステンを形成する。構造体をアニールしてノンドープの層の下にあるドープポリシリコン層のドーパントをノンドープのポリシリコン層へ移動させてノンドープのポリシリコンキャップ層をドープしてもよい。アニールは、集積回路構造体の処理をその後行う工程の一部としてインシチュウ(in situ )に遂行されることが好ましい。

Claim (excerpt)：

集積回路構造体であって、a)ドープされているドープ表面部分を少なくとも有する第1のポリシリコン層と、b)前記第1のポリシリコン層の前記ドープ表面の上に形成された、ノンドープの第2のポリシリコン層とc)タングステン含有ガスとジクロロシランとの反応により、前記ノンドープの第2のポリシリコン層の上に形成された珪化タングステン層とを備える集積回路構造体。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  B32B 9/00 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/28 301 A ,  B32B 9/00 A ,  H01L 21/90 C