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J-GLOBAL ID：200903033281233301

真空アーク蒸着法

Inventor： 永田 徳久 ,  松山 秀昭 ,  草川 和大
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002000925
Publication number (International publication number)：2003201557
Application date： Jan. 07, 2002
Publication date： Jul. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 成膜速度の低下を抑え、安定した成膜速度を得ることが可能な真空アーク蒸着法を提供する。【解決手段】 アーク源において成膜原料を陰極としたアーク放電によって陰極物質プラズマを発生させる工程と、該陰極物質プラズマを磁気フィルターによって被成膜基板に誘導する工程と、該陰極物質プラズマ中の陰極物質イオンから膜を形成する工程とを具えた真空アーク蒸着法において、成膜時圧力が0.01Pa以下であることを特徴とする真空アーク蒸着法。

Claim (excerpt)：

アーク源において成膜原料を陰極としたアーク放電によって陰極物質プラズマを発生させる工程と、該陰極物質プラズマを磁気フィルターによって被成膜基板に誘導する工程と、該陰極物質プラズマ中の陰極物質イオンから膜を形成する工程とを具えた真空アーク蒸着法において、成膜時圧力が0.01Pa以下であることを特徴とする真空アーク蒸着法。

IPC (4)：

C23C 14/24 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/85

FI (4)：

C23C 14/24 F ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84 B ,  G11B 5/85 A

F-Term (18)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029BD11 ,  4K029CA04 ,  4K029DD06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  5D006AA02 ,  5D006AA05 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FA02 ,  5D112FB11