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J-GLOBAL ID：200903033286082930

制御可能な超電導体製構造素子

Inventor： ハルトムート、ドブナール ,  ベルナー、シャーバー ,  トーマス、ペーターラインス ,  パウル、ツィーマン
Applicant, Patent owner： ドルニエ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994107011
Publication number (International publication number)：1995022661
Application date： May. 20, 1994
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】制御電極(ゲート)により、他の両電極間の電流ないし電圧に直接影響を及ぼすことができる、超電導体、特にHTSLを基材とする電子構造素子を提供する。【構成】薄い超電導性層が、薄い、特に疑似絶縁性層(変換層)と接触し該変換層中で、非金属/金属の相転移により引き起こされる境界を接する金属電極(ゲート)から流れる電流により、約数倍の伝導性の増加が引き起こされ、それによって超伝導体路の電流負荷容量ないしインピーダンスが制御される。

Claim (excerpt)：

薄い超電導性層が、薄い、特に疑似絶縁性層(変換層)と接触していること、変換層中で、境界を接する金属電極(ゲート)から流れる電流により、約数倍の伝導性の増加が引き起こされること、およびそれによって超電導体路の電流負荷容量ないしインピーダンスが制御されることを特徴とする、マイクロエレクトロニクス用の薄膜構造素子。

IPC (3)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 29/86 ,  H01L 39/02 ZAA