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J-GLOBAL ID：200903033290136092

液晶電気光学装置の作製方法

Inventor： 清水 美知緒
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994158024
Publication number (International publication number)：1996006042
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 真空、あるいは真空と加熱による液晶材料や樹脂材料またはその混合物の基板間への注入方法において、液晶材料や樹脂材料の低分子成分の揮発を防ぎ、意図した特性を再現性良く発現することができる液晶電気光学装置の作製方法を提供する。【構成】 真空注入法において、液晶材料、または未硬化の樹脂材料、または液晶材料と未硬化の樹脂材料との混合物を完全に覆わない程度にシート状部材で覆い、その状態で基板間の内部および周囲を減圧して、前記基板間に注入する。

Claim (excerpt)：

注入口以外の周縁が封止されいてる一対の基板間に、液晶材料、または未硬化の樹脂材料、または液晶材料と未硬化の樹脂材料との混合物を、真空注入法によって注入するに際し、前記注入口付近に載置した、前記基板間に注入する液晶材料、または未硬化の樹脂材料、または液晶材料と未硬化の樹脂材料との混合物を、完全に覆わない程度にシート状物質で覆った後、真空注入法により、前記注入口より注入することを特徴とする液晶電気光学装置の作製方法。

IPC (3)：

G02F 1/1341 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/13 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 液晶注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-278610   Applicant：セイコー電子工業株式会社