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J-GLOBAL ID：200903033309381409
化合物半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341671
Publication number (International publication number)：1998189456
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 MOCVD法により上面にマスクを有するメサを平坦に埋め込む。【解決手段】 埋め込み層7の堆積速度がマスク2から離れた領域よりマスク2近傍で速い第一の堆積工程と,埋め込み層7の堆積速度がマスク2から離れた領域よりマスク2近傍で遅い第二の堆積工程とからなる。III 族原料ガスに対するV族原料ガスの流量比をU<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>,堆積温度をTとするとき,マスク近傍と遠方とで堆積速度が等しいときのU<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>,Tから式log(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)=A(1/T)+Cの定数A,Cを求め,第一の堆積条件をlog(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)>A(1/T<SP>O </SP>)+C,第二の堆積条件をlog(U<SB>N </SB>/U<SB>M </SB>)<A(1/T<SP>O </SP>)+Cとする。
Claim (excerpt)：
基板上に上面が選択堆積用マスクで覆われた化合物半導体のメサを形成する工程と,有機金属化学堆積法(MOCVD法)を用いて該メサの外側の該基板上にIII-V 化合物半導体又はII-VI 化合物半導体からなる埋め込み層を堆積する該メサの埋め込み工程とを有する化合物半導体装置の製造方法において,該埋め込み工程は,該埋め込み層の堆積速度が該マスクから離れた領域より該マスクの外縁近傍で速い第一の堆積工程と,該埋め込み層の堆積速度が該マスクから離れた領域より該マスクの外縁近傍で遅い第二の堆積工程とからなることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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