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J-GLOBAL ID：200903033313790895

GaAs基板の製造方法及び該基板を用いたショットキーバリアダイオード素子

Inventor： 片浜 久
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146180
Publication number (International publication number)：1995014776
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板11上にGaAs層をエピタキシャルに成長させるGaAs基板の製造方法であって、シリコン基板11上に厚さが0.2μm以下の第1のGaAs層(第1層)12を500°C以下で成長させた後、第1層12の上に第1層12との合計の厚さが3μm以下になるように第2のGaAs層(第2層)13を600°C以上で成長させ、さらに第2層の上に第1層12及び第2層13との合計の厚さが5〜7μmになるように第3のGaAs層(第3層)14を500°C以下で成長させるGaAs基板の製造方法。【効果】Si基板11の上に、結晶性の良いGaAsエピタキシャル層を3μm以上の厚さで効率よく成長させることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にGaAs層をエピタキシャルに成長させるGaAs基板の製造方法であって、シリコン基板上に厚さが0.2μm以下の第1のGaAs層を500°C以下で成長させた後、該第1のGaAs層の上に該第1のGaAs層との合計の厚さが3μm以下になるように第2のGaAs層を600°C以上で成長させ、さらに該第2のGaAs層の上に前記第1のGaAs層及び前記第2のGaAs層との合計の厚さが5〜7μmになるように第3のGaAs層を500°C以下で成長させることを特徴とするGaAs基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/91

FI (2)：

H01L 29/48 H ,  H01L 29/91