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J-GLOBAL ID：200903033329361218

センサー用シリコン基板構造及びその製造方法

Inventor： 朱 炳 勸 ,  呉 明 煥
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国科学技術研究院
Agent (1)： 笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312095
Publication number (International publication number)：1993226674
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】溶融接合を利用したシリコン基板のシリコン膜上に形成するセンサー回路素子の動作特性の信頼性を高めることを目的とする。【構成】平板状の下部基板2に溶融接合する上部基板1の、接合側にまず電気化学的蝕刻停止により空洞3を形成した後、上部基板1と下部基板2とを接合する。続いて、上部基板1の上面側を電気化学的蝕刻停止により蝕刻して薄板化を行い、シリコン膜4を形成するようにした。これにより、シリコン膜上のセンサー回路素子形成部が、接合界面から離れ、接合界面における結晶欠陥等の影響が伝播しなくなり、動作特性の低下を防止できる。

Claim (excerpt)：

平板状の下部基板(2)の上面に接合した上部基板(1)の接合面側に空洞(3)を形成し、該空洞(3)の上部をセンサ用回路素子を形成するシリコン膜部(4)としたことを特徴とするセンサー用基板構造。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-072775
  
• 特開昭58-211615