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J-GLOBAL ID：200903033334766048

磁気抵抗効果素子

Inventor： 上口 裕三 ,  溝口 徹彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052530
Publication number (International publication number)：1994267742
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は大きな磁気抵抗効果を示す、磁気抵抗効果素子を提供する事を目的とする。【構成】 本発明の磁気抵抗効果素子は非強磁性金属層により分離され、外部磁場により磁化の相対角度が変化する一対の磁性層を備え、前記一対の磁性層のうち少なくとも一層がハーフメタルから成ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

非強磁性金属層により分離され、外部磁場により磁化の相対角度が変化する一対の磁性層を備え、前記一対の磁性層のうち少なくとも一層がハーフメタルから成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-048708
  
• スピン相互作用素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219595   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-061572
  
• 特開昭55-097020