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J-GLOBAL ID:200903033334766048

磁気抵抗効果素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993052530
Publication number (International publication number):1994267742
Application date: Mar. 12, 1993
Publication date: Sep. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は大きな磁気抵抗効果を示す、磁気抵抗効果素子を提供する事を目的とする。【構成】 本発明の磁気抵抗効果素子は非強磁性金属層により分離され、外部磁場により磁化の相対角度が変化する一対の磁性層を備え、前記一対の磁性層のうち少なくとも一層がハーフメタルから成ることを特徴とする。
Claim (excerpt):
非強磁性金属層により分離され、外部磁場により磁化の相対角度が変化する一対の磁性層を備え、前記一対の磁性層のうち少なくとも一層がハーフメタルから成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-048708
  • スピン相互作用素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-219595   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平2-061572
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