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J-GLOBAL ID：200903033346869144

電子放出素子の製造方法及び電子放出素子及び電子源及び画像形成装置

Inventor： 藤原 良治 ,  市川 武史
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 世良 和信 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402602
Publication number (International publication number)：2002203479
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 電子放出部の形状、特に間隙の形状を制御して均一な電子放出を可能とする電子放出素子の製造方法及び電子放出素子及び電子源及び画像形成装置を提供する。【解決手段】 基板上にAl層2と、Al層2と接触するタングステン層3と、を形成する工程と、Al層2の表面を酸化して、該表面に酸化アルミニウム層5を形成する工程と、酸化アルミニウム層5の表面の酸化層を除去して、Al層2とタングステン層3との間に間隙を形成する工程と、を有する。

Claim (excerpt)：

第1及び第2の導電性層が間隙を介して基板上に配置され、該第2の導電性層に印加される電位よりも高い電位が該第1の導電性層に印加されて電子を放出する電子放出素子の製造方法において、前記基板上に前記第1の導電性層と、該第1の導電性層と接触する第2の導電性層と、を形成する工程と、前記第1の導電性層の表面を酸化して、該表面に酸化層を形成する工程と、前記第1の導電性層表面の酸化層を除去して、該第1の導電性層と前記第2の導電性層との間に間隙を形成する工程と、を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (4)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/316 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 9/02 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 E

F-Term (7)：

5C031DD17 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04