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J-GLOBAL ID：200903033359081066

シリコン酸化膜の形成方法

Inventor： 宮 博信 ,  豊田 一行 ,  佐藤 武敏 ,  経田 昌幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004246534
Publication number (International publication number)：2006066587
Application date： Aug. 26, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】処理室52内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、ウエハ200上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成し、第1の原料ガスの供給を停止し、第1の原料ガスを処理室52内から排出し、処理室52内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、ウエハ1上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成し、第2の原料ガスの供給を停止し、処理室52内から第2の原料ガスを排出する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

処理室内に載置され、所定の温度に加熱された基板上にシリコン酸化膜を形成する方法であって、 前記処理室内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、前記基板上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成させる工程と、 前記第1の原料ガスの供給を停止し、前記処理室内に残留する前記第1の原料ガスを前記処理室から排出する工程と、 前記処理室内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、前記基板上に形成された前記アモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、 しかる後、前記第2の原料ガスの供給を停止し、前記処理室内に残留する前記第2の原料ガスを前記処理室から排出する工程と、 を含むことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/52

FI (3)：

H01L21/316 C ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

F-Term (19)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-271437
  
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-001546   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-011730