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J-GLOBAL ID：200903033371045628

MOSトランジスタ回路

Inventor： 廣本 昌史
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179476
Publication number (International publication number)：1998028045
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 製造プロセスが簡単なE/Dインバータを基本構成として、低消費電力特性を実現したMOSトランジスタ回路を提供する。【解決手段】 ゲートが信号入力端VINに接続されるnチャネル,エンハンスメント型のドライバMOSトランジスタQ1と、nチャネル,デプレション型の負荷MOSトランジスタQ2とを有するE/Dインバータを基本回路とするMOSトランジスタ回路であって、信号出力端VOUT に接続される負荷MOSトランジスタQ2のソースと、ドライバMOSトランジスタQ1のドレインとの間にレベルシフト素子としてショットキー・ダイオードSDが介挿され、かつ負荷MOSトランジスタQ2のゲートがドライバMOSトランジスタQ1のドレインに接続される。

Claim (excerpt)：

ゲートが信号入力端に接続されるnチャネル,エンハンスメント型のドライバMOSトランジスタと、nチャネル,デプレション型の負荷MOSトランジスタとを有するインバータを基本回路とするMOSトランジスタ回路において、信号出力端に接続される前記負荷MOSトランジスタのソースと、前記ドライバMOSトランジスタのドレインとの間にレベルシフト素子が介挿され、かつ前記負荷MOSトランジスタのゲートが前記ドライバMOSトランジスタのドレインに接続されていることを特徴とするMOSトランジスタ回路。

IPC (4)：

H03K 19/0944 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/20

FI (3)：

H03K 19/094 A ,  H03K 19/20 ,  H01L 27/08 321 L