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J-GLOBAL ID：200903033372943387

誘電体膜の形成方法および誘電体膜

Inventor： 篠田 智隆 ,  山田 欣司 ,  柄沢 武 ,  松下 賢一郎 ,  奥村 勝弥
Applicant, Patent owner： JSR株式会社 ,  ウシオ電機株式会社 ,  株式会社オクテック
Agent (3)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003047621
Publication number (International publication number)：2004259869
Application date： Feb. 25, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】誘電体膜の形成において、プロセス温度の低温化を実現し、かつより短時間で広面積の処理を可能にすることにより、生産性を大幅に向上することができる誘電体膜の形成方法および誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の誘電体膜の形成方法は、(A)有機金属化合物および(B)有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、フラッシュランプ1を用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(A)有機金属化合物および(B)有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、 フラッシュランプを用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、 を含む、誘電体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L21/316 ,  C01G23/00 ,  C01G35/00

FI (3)：

H01L21/316 G ,  C01G23/00 C ,  C01G35/00 C

F-Term (22)：

4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G047CD08 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-245714   Applicant：株式会社東芝