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J-GLOBAL ID：200903033384854576

光導波路の製造方法

Inventor： 今田 勝大 ,  吉新 喜市 ,  松野 繁 ,  内川 英興 ,  渡井 久男 ,  北山 忠善 ,  水落 隆司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992313259
Publication number (International publication number)：1994160657
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来より低い温度で形成できるため、プロセスが簡略化できるとともに、高温では形状や成分が変化してしまう基板をも用いることができ、しかも特性の優れた光導波路の製造方法を得ることができる。【構成】 基板温度を400°Cとし、基板1にSi(OC2H5)4(TEOS)の蒸気のみを供給し、クラッドの一部を構成する石英膜101を形成する。次に、TiのアルコキシドとしてTi(O-i-C3H7)4とTEOSとを基板1に供給して、光導波路のコア部となる高屈折率層102を形成した。さらに、上部のクラッド部となる石英膜101を、TEOSのみの原料蒸気を基板1に供給して形成し、RIE法により石英多層膜をエッチングする。

Claim (excerpt)：

Siアルコキシド蒸気を主とする原料蒸気とオゾンガスとを反応させて、基板にSiO2を主成分とする膜を形成する光導波路の製造方法。

IPC (2)：

G02B 6/12 ,  C03C 13/04