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J-GLOBAL ID：200903033391762660
配線構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294620
Publication number (International publication number)：1994148658
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗で電気化学的に安定な、アクティブマトリクス液晶表示装置に適した配線構造を得る。【構成】 絶縁性基板11上に形成されたITO膜7、13の上に、バリアーメタル8a、9aと、Al層8b、9bと、Al層8b、9bの酸化膜8c、9cとからなるソース電極8およびドレイン電極9が形成されている。ITO膜7、13とAl層8b、9bとの間にバリアーメタル8a、9aが介在しているので、ITO膜7、13とAl層8b、9bとの間で起こる電池反応が抑制される。また、Al層8a、9aの表面にその酸化膜8c、9cが形成されているので、パターニング工程においてAl層8a、9aが溶解することがなく、さらに、上記電池反応を抑制することができる。
Claim (excerpt)：
少なくとも3層の配線を有し、最下層がMo、Nb、Cr、Tiまたはそれらを主成分とする金属からなり、最上層が該最上層の直下に形成されたAlまたはAl合金からなる層の表面を酸化して形成した酸化膜からなり、該最上層の厚みが50オングストローム以上500オングストローム以下である配線構造。
IPC (3)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
