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J-GLOBAL ID：200903033396130751

半導体光変調器

Inventor： 影山 茂己 ,  後藤 勝彦 ,  瀧口 透
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993248922
Publication number (International publication number)：1995104222
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低い逆バイアス電圧で駆動することによりTM,TE両モードで高い消光比が得られ、さらに、能動領域の量子井戸層を多層にすることにより消光比を高くしても結晶が破断することがない半導体光変調器を提供することを目的とする。【構成】 互いに逆の符号でかつ絶対値が等しい歪み量を有する第1の量子井戸層8と、第2の量子井戸層10とをバリア層9を挟んで交互に積層してなる能動領域3aを備えた。【効果】 TE,TM両モードで高い吸収利得を得ることができ、トータル歪量を抑えて量子井戸を増やし、高い消光比を得ることができる。

Claim (excerpt)：

その能動領域に入射したレーザ光を、印加された電界に応じて吸収,あるいは透過することにより変調して出射する半導体光変調器において、半導体基板上に、その格子定数が上記半導体基板の格子定数より大きい材料からなる第1の半導体層と、その格子定数が上記半導体基板の格子定数より小さい材料からなる第2の半導体層とを有する能動領域を備えたことを特徴とする半導体光変調器。

IPC (2)：

G02F 1/015 505 ,  H01S 3/18