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J-GLOBAL ID：200903033399729840

半導体発光装置

Inventor： 鬼頭 泰浩 ,  古谷 章 ,  菅野 真実 ,  須藤 久男
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098997
Publication number (International publication number)：1995307522
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 劈開時のダメージが発光領域の劈開面部分に生じないようにすることができるとともに、溝と発光領域間の距離を小さくして発光領域に関与しない活性層上下の界面の寄生容量を低減することができ、高歩留り化及び超高速変調化を実現することができる。【構成】 活性層14の両端に、共振器が位置する端面1が形成された半導体発光装置において、発光領域2に近接し、共振器が位置する端面1部分に到達せず、かつ少なくとも前記活性層14に到達する深さまで形成された溝3を有する。

Claim (excerpt)：

活性層(14)の両端に共振器が位置する端面(1)が形成された半導体発光装置において、発光領域(2)に近接し、共振器が位置する端面(1)部分に到達せず、かつ少なくとも前記活性層(14)に到達する深さまで形成された溝(3)を有することを特徴とする半導体発光装置。