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J-GLOBAL ID：200903033416588237

減圧気相成長装置

Inventor： 白石 靖志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001942
Publication number (International publication number)：1993206106
Application date： Jan. 09, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】バッチ式のLPCVD装置によるBPSG膜の絶縁膜の形成時のバッチ内における不純物B,P濃度調整を簡単に行えること。【構成】不純物添加の為のインジェクター(図中の7及び8)をバッチ内の位置(例えば上,中,下)で分割して設けることにより位置毎の不純物ガスの流量調節が可能となる。【効果】バッチ内の不純物濃度調整が簡単になることにより、パイロット回数が減って装置の稼働率が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハーの半導体素子上に絶縁膜を形成するバッチ式の減圧気相成長装置において、1種類の不純物につき不純物添加のための導入用石英管を複数本設け、該複数本の導入用石英管はたがいにガス噴出位置が少しずつ異なっていることを特徴とする減圧気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/90