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J-GLOBAL ID：200903033423876205

プラズマエッチング方法

Inventor： 縄田 誠 ,  田村 智行 ,  薬師寺 守
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997144900
Publication number (International publication number)：1998335313
Application date： Jun. 03, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】エッチング処理の後に行うアッシングでのレジスト残りを防止するのに好適なプラズマエッチング方法を提供することにある。【解決手段】エッチング終了後、ウエハ毎にフッ素を含むガスのプラズマによる処理を行い,さらに水素あるいはホウ素を含む塩素化合物ガスの単独または水素(H)あるいはホウ素(B)を含む塩素化合物ガスと塩素ガス(Cl2)の混合ガスのプラズマによる処理を行いエッチング時にレジスト及び配線パターンの側壁に堆積した反応生成物を除去する。

Claim (excerpt)：

エッチングガスを導入してプラズマ化し,該プラズマにより被エッチング材料及びマスク材からなる試料をエッチングするプラズマエッチング装置において,エッチング終了後にマスク材料及び被エッチング材料の側壁に付着したエッチング反応生成物を除去する処理を行うを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-255787   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-086521
  
• 特開平3-062520