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J-GLOBAL ID：200903033445059839

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 土屋 朋信 ,  鈴木 誠 ,  谷渡 剛 ,  魚見 和久 ,  青木 雅博
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991054750
Publication number (International publication number)：1993129709
Application date： Mar. 19, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子サイズ効果の大きな半導体発光素子を得る。【構成】 半導体基板1上に設けられた電流阻止層2、3で形成される溝に順次埋め込まれたガイド層4、活性層5及びクラッド層6を持つ半導体発光素子において、ガイド層4表面が、〔110〕又は〔1-10〕方向に数度傾斜した(001)面であり、活性層5が縦形格子構造となる。【効果】 半導体発光素子の活性層に縦型格子構造を形成することによって量子サイズ効果の大きな半導体発光素子が実現される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に順に積層されたガイド層と活性層を有する半導体発光素子において、上記活性層が縦形格子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。