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J-GLOBAL ID：200903033468999340

化合物半導体の気相成長方法及びその装置

Inventor： 金田 直樹
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997206070
Publication number (International publication number)：1999054435
Application date： Jul. 31, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 量産効率が高く、かつ、生産コストが低廉な化合物半導体の気相成長方法及びその装置を提供するものである。【解決手段】 基板上にエピタキシャル成長を行うための反応室3に、基板搬入準備室2および基板搬出準備室4を接続し、その基板搬入準備室2および基板搬出準備室4内の雰囲気を、上記反応室3と略同じ雰囲気に調整した後、上記基板搬入準備室2内の上記基板を上記反応室3内に搬送すると共に、上記反応室3内のエピタキシャルウェハを上記基板搬出準備室4内に搬送するものである。

Claim (excerpt)：

基板上にエピタキシャル成長を行うための反応室に、基板搬入準備室および基板搬出準備室を接続し、その基板搬入準備室および基板搬出準備室内の雰囲気を、上記反応室と略同じ雰囲気に調整した後、上記基板搬入準備室内の上記基板を上記反応室内に搬送すると共に、上記反応室内のエピタキシャルウェハを上記基板搬出準備室内に搬送することを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。