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J-GLOBAL ID：200903033486061910

半導体装置

Inventor： 星野 和弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261632
Publication number (International publication number)：1993102156
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗且つエレクトロマイグレーション耐性,ストレスマイグレーション耐性の高い電極配線を備えた半導体装置を実現する。【構成】 シリコン基板11上に絶縁膜12を形成し、コンタクトホールを開口した後、Ti膜14,TiW15,Ag-Cu膜16を順次形成する。このAg-Cu膜16は、Cuが1.5重量%含有されたAg合金であり、プロセス中で行なわれる熱処理(シンター)でCuが析出硬化して、配線の機械的強度は著しく高まる。また、Cuの濃度が0.1〜5.0重量%の範囲では、配線抵抗の上昇を微少に抑えることができ、高い導電性であるため、半導体装置の性能が向上する。

Claim (excerpt)：

Ag金属中に0.1〜0.5重量%のCuを含有するAg合金で成る電極配線を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/46