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J-GLOBAL ID：200903033495203825

半導体レーザ装置

Inventor： 内藤 浩樹 ,  粂 雅博 ,  伊藤 国雄
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992279907
Publication number (International publication number)：1994132607
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる780nm帯で発振する低動作電流値の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 n型のGa0.85Al0.15As活性層4の主面の少なくとも一方の側にp型のGa0.5Al0.5As第1光ガイド層5およびp型のIn0.5Ga0.5P第2光ガイド層6が形成されており、第2光ガイド層6の上にストライプ状の窓7aを有するn型のGa0.4Al0.6As電流ブロック層7が形成されており、ストライプ状の窓7aにはp型のGa0.5Al0.5Asクラッド層9が形成されている。

Claim (excerpt)：

Ga1-XAlXAs活性層の主面の少なくとも一方の側に一導電型のGa1-Y1AlY1As第1光ガイド層およびIn0.5Ga0.5P第2光ガイド層が形成されており、前記第2光ガイド層の上にストライプ状の窓を有する逆導電型のGa1-ZAlZAs電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓には一導電型のGa1-Y2AlY2Asクラッド層が形成されており、かつAlAs混晶比を決めるX、Y1、Y2およびZの間にZ>Y2>X≧0、Z>Y1の関係を有する半導体レ-ザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-213181
  
• 特開昭60-110188
  
• 特開昭60-147119
  
• 特開昭62-176183
  
• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-248573   Applicant：ソニー株式会社