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J-GLOBAL ID：200903033497327750

窒化物半導体発光ダイオード

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995229080
Publication number (International publication number)：1996162671
Application date： Sep. 06, 1995
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電流の増加に比例して光度が増加する窒化ガリウム系化合物半導体LEDを実現する。【構成】 少なくともn型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(0<X<0.5、0≦Y、X+Y<1)を活性層としたダブルへテロ構造の窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードは順方向電流40mAにおける発光において、430nm〜550nmに第一の発光ピークを有し、360nm〜450nmの間に第二の発光ピークを有し、第二の発光ピークの強度が第一の発光ピークの強度の50%以下である。

Claim (excerpt)：

少なくともn型ドーパントとp型ドーパントとがドープされたn型In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(0<X<0.5、0≦Y、X+Y<1)を活性層としたダブルへテロ構造の窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオードは順方向電流40mAにおける発光において、430nm〜550nmに第一の発光ピークを有し、360nm〜450nmの間に第二の発光ピークを有し、第二の発光ピークの強度が第一の発光ピークの強度の50%以下であることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。