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J-GLOBAL ID：200903033498822151

圧電薄膜を用いた素子

Inventor： 岡 史人 ,  柴田 憲治
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006119371
Publication number (International publication number)：2007294593
Application date： Apr. 24, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】周囲の温度変化により比誘電率や圧電特性が変化せず、かつ鉛フリーで圧電特性の優れた圧電薄膜を用いた素子を提供する。【解決手段】基板11上に、下部電極層12、圧電薄膜からなる圧電体層、上部電極層12を順次形成した圧電薄膜を用いた素子10において、圧電体層は、(Nax Ky Liz )NbO3 (0 Claim (excerpt)：

基板上に、下部電極層、圧電薄膜からなる圧電体層、上部電極層を順次形成した圧電薄膜を用いた素子において、上記圧電体層は、(Nax Ky Liz )NbO3 (0 IPC (6)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H02N 2/00 ,  C04B 35/00

FI (7)：

H01L41/18 101B ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  H02N2/00 A ,  H02N2/00 B ,  C04B35/00 J

F-Term (6)：

4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子及び誘電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-274919   Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所