Pat
J-GLOBAL ID：200903033510420846

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
植木 浩

About 植木 浩


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174516
Publication number (International publication number)：1996036894
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：
【要約】【目的】 メモリセルアレイのデータをバイト単位に消去できる不揮発性半導体記憶装置の提供。【構成】 対をなしているメモリセルトランジスタ列のメモリセルトランジスタM,M...のドレインを、各対ごとに第1ビット線B1 ,B2 と接続する。メモリセルトランジスタ列のメモリセルトランジスタM,M...のソースを各列ごとに第2ビット線B21,B22,B23,B24と接続する。第1ビット線B1 ,B2 と、第2ビット線B21,B22,B23,B24とを二層に分離して形成する。
Claim (excerpt)：
メモリセルトランジスタ群におけるメモリセルのデータをバイト単位に消去できる不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルトランジスタのドレインに接続され、第1層に形成された第1ビット線と、メモリセルトランジスタのソースに接続され、第2層に形成された第2ビット線と、メモリセルトランジスタを選択するワード線と、該ワード線に、高電位,中間電位及び接地電位を与えるワード線デコーダとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 16/06 ,  H01L 27/115
FI (2)：
G11C 17/00 530 B ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-205918   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-102676   Applicant：富士通株式会社
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208073   Applicant：三菱電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM