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J-GLOBAL ID：200903033512049304

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 北山 加奈子 ,  浅井 優幸 ,  堀井 貞義
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003360873
Publication number (International publication number)：2005129579
Application date： Oct. 21, 2003
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】成膜原料の無駄をできる限りなくすことのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法を用いて、従来の問題点を改善することを目的とする。 【解決手段】基板3を処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に原料を供給する1つの原料供給システム10と、前記複数の処理室にプラズマガスを供給する1つのリモートプラズマガス供給システム11と、前記各処理室では前記原料ガスと前記プラズマガスを交互に複数回供給するとともに、1つの処理室に原料ガスを供給している時は他の処理室にプラズマガスを供給するよう制御するコントローラ8とを構成する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

基板を処理する複数の処理室と、 前記複数の処理室に原料を供給する1つの原料供給システムと、 前記複数の処理室にプラズマガスを供給する1つのリモートプラズマガス供給システムと 、 前記各処理室では前記原料ガスと前記プラズマガスを交互に複数回供給するとともに、1 つの処理室に原料ガスを供給している時は他の処理室にプラズマガスを供給するよう制御 するコントローラと、 を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L21/31 ,  H01L21/316

FI (2)：

H01L21/31 B ,  H01L21/316 X

F-Term (20)：

5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045EH01 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-187468   Applicant：株式会社日立国際電気