真空成膜装置及び真空成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312674
Publication number (International publication number)：1994145974
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】ステップカバレッジに優れ、シャドウイング効果等の悪影響を抑制することができ、しかも均一な膜厚の薄膜を成膜することができる真空成膜装置及び成膜方法を提供する。【構成】基板50上に薄膜を成膜させる真空成膜装置1は、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域12と基板50との間の距離を変える機構20,22,24を備えている。また、基板上に薄膜を成膜させる真空成膜方法は、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域と基板との間の距離を変えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜を成膜させる真空成膜装置であって、成膜中に、原子、分子、イオン又はラジカルから成る薄膜源を生成する領域と基板との間の距離を変える機構を備えていることを特徴とする真空成膜装置。

IPC (3)：

C23C 14/34 , C23C 14/54 , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開昭58-003977
特開平2-298263
特開平4-168271

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