Pat

J-GLOBAL ID：200903033531475993

ウェハ

Inventor： 高橋 佳智 ,  和田 宏明 ,  宮本 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231469
Publication number (International publication number)：1998163079
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 耐熱性、耐酸性に優れ、汚染性の少ないダミーウェハを提供する。【解決手段】 密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と加非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体を用いる。ここで、炭化ケイ素焼結体が前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであること、炭化ケイ素粉末が、液状のケイ素化合物を含むケイ素源と、加熱により炭素を生成する液状の有機化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒とを混合して得られた混合物を固化して固形物を得る固化工程と、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で焼成する焼成工程とを含む製造方法により得られたものであること、炭化ケイ素焼結体に含まれる不純物元素の総含有量が1ppm以下であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成されたことを特徴とするウェハ。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  C04B 35/565

FI (2)：

H01L 21/02 B ,  C04B 35/56 101 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-006264   Applicant：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
• 炭化珪素質焼結体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-324732   Applicant：京セラ株式会社