薄膜形成方法および薄膜形成装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996023288
Publication number (International publication number)：1997199431
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明の課題は、連続して移動する帯状部材上に、大面積にわたって、高い光電変換効率及び高品質で優れた均一性を有し、より再現性高く欠陥の少ない光起電力素子を大量に作成することのできる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため原料ガスを放電空間内へ導入し、電力を印加して前記原料ガスをプラズマ放電により分解することによって薄膜を形成する薄膜形成方法または装置において、前記放電空間に配された電力印加電極の表面積が、接地された電極全体の放電空間における表面積よりも大きく、前記プラズマ放電の生起時における前記電力印加電極の自己バイアスとしての電位を、接地電極に対して正電位にするするようにしたことを特徴とすものである。

Claim (excerpt)：

原料ガスを放電空間内へ導入し、電力を印加して前記原料ガスをプラズマ放電により分解することによって薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記放電空間に配された電力印加電極の表面積が、接地された電極全体の放電空間における表面積よりも大きく、前記プラズマ放電の生起時における前記電力印加電極の自己バイアスとしての電位を、接地電極に対して正電位にすることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/08 105 , H01L 31/04

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/08 105 , H01L 31/04 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

気相反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-126829 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-341570
特開平3-247769

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