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J-GLOBAL ID：200903033557164767
セラミック回路基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996318777
Publication number (International publication number)：1997283890
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 導体抵抗が低く,また半田付着性が高い導体回路を有し,かつ導体回路と保護ガラス層との間の密着強度が高いセラミック回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 セラミック基板5上に,金属よりなる導体回路2を形成する。次いで,導体回路の表面に結晶化ガラスからなる保護ガラス層1を形成し,焼成する。保護ガラス層の焼成は,結晶化ガラスの軟化点よりも50°C低い温度以上で且つ結晶化ガラスの結晶化点未満の範囲内の温度において上記保護ガラス層を焼成する第1焼成工程を行い,その後,上記結晶化ガラスを結晶化させるに必要な温度の範囲内において,保護ガラス層を焼成する第2焼成工程を行う。
Claim (excerpt)：
セラミック基板上に,金属よりなる導体回路を形成し,次いで,該導体回路の表面に結晶化ガラスからなる保護ガラス層を形成し,該保護ガラス層を焼成するセラミック回路基板の製造方法であって,上記保護ガラス層の焼成は,結晶化ガラスの軟化点よりも50°C低い温度以上で且つ結晶化ガラスの結晶化点未満の範囲内の温度において,上記保護ガラス層を焼成する第1焼成工程を行い,その後,上記結晶化ガラス結晶化させるに必要な温度の範囲内において,上記保護ガラス層を焼成する第2焼成工程を行うことを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H05K 3/28 A
, H05K 3/24 A
