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J-GLOBAL ID：200903033558974274

電子デバイス製造装置

Inventor： 真嶋 訓志 ,  酒井 道
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997152303
Publication number (International publication number)：1998340858
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 励起高周波の周波数がRF帯からVHF帯の広範囲にわたる場合に、大面積成膜あるいは大面積エッチングを可能とする高周波の電子デバイス製造装置を提供する。【解決手段】 反応室6内において、その下部に高周波励起用電極(カソード電極)1を配置し、それの上方に対向させて平行に対向電極(アノード電極)2を配置する。対向電極(アノード電極)2はグランド9に接続し、高周波励起用電極(カソード電極)1は高周波電力発生源4に接続する。対向電極(アノード電極)2と反応室6の天井壁6cとの間の空間をプラズマ発生空間30とし、このプラズマ発生空間30に処理対象の基板40を挿入する。

Claim (excerpt)：

基板に薄膜半導体等を堆積させるための材料ガスあるいは基板を加工するためのエッチングガス等の反応用ガスを反応室に導入するガス導入手段と、この反応用ガスをプラズマ分解するための高周波電力を発生する高周波電力発生手段と、この高周波電力発生手段に直列接続された高周波励起用電極およびこの高周波励起用電極に対向する対向電極を少なくとも1対備えた電子デバイス製造装置であって、前記高周波電力発生手段の励起高周波の周波数をVHF帯またはRF帯に設定したときに、前記対向電極とこの対向電極に対向する反応室対向壁面との間の空間をプラズマ発生空間として利用するように構成したことを特徴とする電子デバイス製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B