半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：林敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991336788
Publication number (International publication number)：1993323362
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は駆動電極群を選択給電するスイッチングトランジスタと駆動回路を絶縁基板上の単結晶シリコン上に形成したアクティブマトリクス型装置である。本発明はスイッチングトランジスタの光リーク電流を減少し、かつ駆動回路の動作をし易くすることを目的とする。【構成】スイッチングトランジスタが形成される領域のシリコン層の厚みを駆動回路が形成される領域のシリコン層の厚みより薄くすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電気絶縁性物質上にある半導体シリコン単結晶膜上に、画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群と前記スイッチ素子群を選択動作させる駆動回路素子群が形成された光弁基板用半導体装置において、画素電極群に対して選択給電を行うスイッチ素子群が形成される領域の半導体単結晶シリコン層の厚みは、駆動回路素子群が形成される領域の単結晶シリコン層の厚みより薄いことを特徴とする光弁基板用半導体装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭59-200288
特開昭62-223781
特開平3-007911

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